复旦大学微电子学研究所 
研究主题：SOI结构 SIMOX VLSI 离子注入 二氧化硅
研究学科：电子信息类 电气类
- 为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型 ( EI收录)
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- 《Journal of Semiconductors》复旦大学微电子学研究所;中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 牛国富 阮刚 出版年：1993
- 关键词：硅膜 二氧化硅 SOI结构 埋层 SIMOX
- 硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展 ( EI收录)
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- 《电子学报》复旦大学微电子学研究所 阮刚 出版年：1993
- 关键词：硅锗应变层 双极型晶体管 异质结
- 考虑速度过冲效应的亚1／4微米MOSFET器件解析模型
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- 《固体电子学研究与进展》复旦大学微电子学研究所 牛国富 阮刚 出版年：1994
- 关键词：载流子温度 场效应晶体管 速度效应
- PT-8微机化压力传感器
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- 复旦大学微电子学研究所 0鲍敏杭 王言 晋琦 吴宪平 沈加英 出版年：0
- 该传感器采用先进的横向压阻设计方法，应用精密的微机械加工制造技术和新的侧向承压封装结构，使传感器尺寸可缩小到直径φ１．８ｍｍ，长度１０ｍｍ，创国内压力传感器微小型化的新水平。经实用测试表明：该传感器静、动态性能优良，稳定...
- 关键词：封装工艺 微型 金属切削 设计 传感器
- 适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS ( EI收录)
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- 《电子学报》复旦大学微电子学研究所 徐晨曦 阮刚 出版年：1990
- 关键词：VLSI FUTIS 离子注入 模拟器
- 一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型 ( EI收录)
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- 《Journal of Semiconductors》复旦大学微电子学研究所 冯向明 阮刚 出版年：1990
- 关键词：VLSI 离子刻蚀 工艺模拟 模型
- 离子注入多层结构的模拟
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- 全国第六届IC CAD学术年会 1991牛国富 阮刚 出版年：1991
- 关键词：离子注入 多层结构 数值模拟 集成电路工艺 蒙特卡罗模拟
- 硅片Map图信息的提取和利用
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- 《固体电子学研究与进展》复旦大学微电子学研究所 张东红 阮刚 出版年：1995
- 关键词：硅片 MAP图 工艺缺陷 成品率
- 短沟道MOSFET渡越时间物理模型
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- 《固体电子学研究与进展》复旦大学微电子学研究所 牛国富 阮刚 出版年：1995
- 关键词：渡越时间 速度过冲 MOSFET 沟道 物理模型
- 为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型 ( EI收录)
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- 《Journal of Semiconductors》复旦大学微电子学研究所 牛国富 阮刚 出版年：1994
- 关键词：硅膜 二氧化硅 SOI 离子注入
