文献类型：期刊文章

作　　者：牛国富[1] 阮刚[1]

机构地区：[1]复旦大学微电子学研究所,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：1994

卷　　号：15

期　　号：9

起止页码：611-616

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文提出了一个为ＳＩＭＯＸＳＯＩ结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型，适用于０．７—２．０×１０１８ｃｍ－２剂量范围和５０—３００ｋｅＶ能量范围．模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好．本模型对ＳＩＭＯＸ工艺优化设计和发展ＶＬＳＩＴＣＡＤ具有参考价值，同时给出了在常规氧注入能量（如１５０ｋｅＶ）下用增大剂量方法制备ＴＦＳＯＩ结构的理论依据．

关 键 词：硅膜 二氧化硅 SOI 离子注入  

分 类 号：TN305.3]