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复旦大学微电子学研究所 收藏

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研究主题:SOI结构    SIMOX    VLSI    离子注入    二氧化硅    

研究学科:电子信息类    电气类    

被引量:5H指数:1WOS: 5 EI: 8 北大核心: 11 CSCD: 11

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