期刊文章详细信息
一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型 ( EI收录)
A Reactive Ion Etching Rate Model for VLSI Process Simulation
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学微电子学研究所
出 处：《Journal of Semiconductors》
基 金：国家自然科学基金
年 份：1990
卷 号：11
期 号：1
起止页码：55-62
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5％。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。
关 键 词：VLSI 离子刻蚀 工艺模拟 模型
分 类 号：TN470.598]
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