文献类型：期刊文章

作　　者：牛国富[1] 阮刚[2]

机构地区：[1]复旦大学微电子学研究所 [2]中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,上海,200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：1993

卷　　号：14

期　　号：9

起止页码：573-578

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10^(18)cm^(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。

关 键 词：硅膜 二氧化硅 SOI结构 埋层 SIMOX

分 类 号：TN304.055]