期刊文章详细信息
硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展 ( EI收录)
Research Progress on SiGe-Base HBT
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学微电子学研究所,上海200433
年 份：1993
卷 号：21
期 号：8
起止页码：67-73
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1993121123637)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.
关 键 词：硅锗应变层 双极型晶体管 异质结
分 类 号：TN322.8]
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