期刊文章详细信息
短沟道MOSFET渡越时间物理模型
A Physical Model of Short Channel MOSFET's Transit Time
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学微电子学研究所
年 份：1995
卷 号：15
期 号：2
起止页码：142-148
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％
关 键 词：渡越时间 速度过冲 MOSFET 沟道 物理模型
分 类 号：TN386.101]
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