期刊文章详细信息
适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS ( EI收录)
The Multi-Function 2D Ion Implantation Simulator-FUTIS for VLSI Processes
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学微电子学研究所
基 金：国家自然科学基金
年 份：1990
卷 号：18
期 号：6
起止页码：14-19
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模拟器及实验比较,表明FUTIS在精度上有明显改进,在功能上有很大扩展,是一种能适应当今VLSI工艺发展要求的先进的离子注入模拟器。
关 键 词：VLSI FUTIS 离子注入 模拟器
分 类 号：TN470.53]
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