期刊文章详细信息
考虑速度过冲效应的亚1／4微米MOSFET器件解析模型
An Analytical Device Model including Velocity Overshoot for Subquartermicrometer MOSFET'S
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学微电子学研究所
年 份：1994
卷 号：14
期 号：1
起止页码：14-21
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：提出了一个考虑速度过冲效应的亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ器件解析模型。亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似，根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果，提出了一个半经验速度过冲因子模型。用此模型和准二维分析方法，得到了解析的漏电流、跨导模型。计算得到的漏电流、跨导与有关实验报导符合较好。速度过冲分析得到的器件速度过冲模型与沟道掺杂浓度的关系得到了有关实验验证。
关 键 词：载流子温度 场效应晶体管 速度效应
分 类 号：TN386]
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