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厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心 收藏

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研究主题:锗    硅基    退火    SI基    SIGE    

研究学科:电子信息类    机械类    交通运输类    能源动力类    

被引量:109H指数:6WOS: 13 EI: 35 北大核心: 44 CSCD: 42

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81 条 记 录,以下是 1-10

Si基Ge波导光电探测器的制备和特性研究 ( EI收录)
1
《光电子.激光》集美大学诚毅学院;厦门大学物理系半导体光子学研究中心 陈荔群 周志文 李成 赖虹凯 陈松岩  出版年:2009
国家自然科学基金资助项目(60676027);国家重点基础研究发展计划"973"资助项目(2007CB613404);国家自然科学基金委重点基金资助项目(60837001);福建省重点科技资助项目(2006H0036)
以外延Ge薄膜为吸收区,在Si基上制备了Ge波导光电探测器。利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,采取低温高温两步法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为500nm的高质量纯Ge层。探测器采用脊型波导结构,Al...
关键词:Ge  波导 光电探测器
硅基外延锗金属-半导体-金属光电探测器及其特性分析 ( EI收录)
2
《光电子.激光》厦门大学物理系半导体光子学研究中心 蔡志猛 周志文 李成 赖虹凯 陈松岩  出版年:2008
国家自然科学基金资助项目(60676027;50672079);福建省重点科技资助项目(2006H0036);国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404);教育部回国留学人员启动基金资助项目
利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,以低温下生长的薄的Si1-xGex和Ge作为缓冲层,在Si(100)衬底上外延出表面平整(粗糙度<1 nm)、位错密度低(<5×105cm-2、厚度约为500 nm的高质量...
关键词:Ge  弛豫缓冲层  MSM光电探测器
InGaN量子阱的微观特性(英文) ( EI收录)
3
《发光学报》厦门大学物理系半导体光子学研究中心 林伟 李书平 康俊勇  出版年:2007
国家重点基础研究发展规划(001CB610505);国家自然科学基金(90206030,60376015,60336020,10134030);福建省自然科学基金(E0410007,2004H054)资助项目~~
采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底与价带顶的简并能级发生分裂,同时量子阱沿垂直结面方向存在分立的能级。此外,针对影响能带...
关键词:INGAN 量子阱  VASP 能带结构  
SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制 ( EI收录)
4
《光电子.激光》深圳信息职业技术学院电子通信技术系;厦门大学物理系半导体光子学研究中心;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 周志文 贺敬凯 王瑞春 李成 余金中  出版年:2010
国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404)
研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器。采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生长探测器材料。测试表明,器件的暗电流主要来源于表面漏电流,暗电流密度随着尺寸的增...
关键词:锗(Ge)  光电探测器 张应变  共振增强效应  
利用金属过渡层低温键合硅晶片 ( EI收录)
5
《Journal of Semiconductors》厦门大学物理系半导体光子学研究中心 张小英 陈松岩 赖虹凯 李成 余金中  出版年:2007
国家自然科学基金(批准号:60336010);福建省自然科学基金(批准号:A0410008)资助项目~~
在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/...
关键词:硅片键合 界面特性  金属过渡层  键合机理  
硅基波导共振增强型光电探测器的设计与模拟 ( EI收录)
6
《Journal of Semiconductors》厦门大学物理系半导体光子学研究中心 陈荔群 李成  出版年:2006
福建省青年科技人才创新基金(批准号:2004J021);回国留学人员基金;集成光电子学国家重点实验室;国家自然科学基金(批准号:60336010)资助项目~~
SiGe是间接带隙材料,吸收系数非常小,因而SiGe探测器在红外波段的量子效率很低.本文提出一种新型的探测器结构,即波导共振增强型光电探测器,该器件主要由两个介质布拉格反射镜和波导吸收区构成,器件尺寸较传统波导型探测器大...
关键词:Si/SiGe波导共振增强型  探测器
Ge/Si(100)量子点生长与形态分布的研究
7
《半导体光电》厦门大学物理系半导体光子学研究中心 周志玉 周志文 李成 陈松岩 余金中 赖虹凯  出版年:2008
国家自然科学基金项目(60336010,60676027);福建省工业科技重点项目(2006H0036);福建省自然科学基金项目(A0410008);国家“973”计划资助项目(2007CB613404)
利用超高真空化学气相淀积系统,通过控制淀积量、温度、流量等生长参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密...
关键词:GE量子点 超高真空化学气相淀积  S-K生长模式  
ZnO中Li相关缺陷结构性质 ( EI收录)
8
《发光学报》厦门大学物理系半导体光子学研究中心 徐群和 康俊勇  出版年:2006
国家自然科学基金(60376015;90206030;60336020;10134030);国家"973"计划(001CB610505);福建省科技项目(2004H054;E0410007)资助项目
采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主...
关键词:ZNO 本征缺陷 Li掺杂  第一性原理计算
硅酸锌的电子结构(英文) ( EI收录)
9
《发光学报》厦门大学物理系半导体光子学研究中心 张华 冯夏 康俊勇  出版年:2006
国家自然科学基金(60376015,90206030,60336020,10134030);国家"973"计划(001CB610505);福建省科技项目(2004H054,E0410007)资助项目~~
采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均...
关键词:硅酸锌 电子态密度 能带结构  
微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用
10
《微电子学》厦门大学物理系半导体光子学研究中心 徐剑芳 李成 赖虹凯  出版年:2005
国家自然科学基金重点资助项目(60336010);福建省青年科技人才创新项目(2004J021)资助
文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。
关键词:SIGE 异质结双极晶体管 微波 大功率
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