文献类型：期刊文章

作　　者：蔡志猛[1] 周志文[1] 李成[1] 赖虹凯[1] 陈松岩[1]

机构地区：[1]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676027;50672079);福建省重点科技资助项目(2006H0036);国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404);教育部回国留学人员启动基金资助项目

年　　份：2008

卷　　号：19

期　　号：5

起止页码：587-590

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、SCOPUS、核心刊

摘　　要：利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,以低温下生长的薄的Si1-xGex和Ge作为缓冲层,在Si(100)衬底上外延出表面平整(粗糙度<1 nm)、位错密度低(<5×105cm-2、厚度约为500 nm的高质量纯Ge层。Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入的张应变,应变大小约为0.2%。以外延的Ge层为吸收区、在硅基上制备了台面面积为195×150μm2的金属-半导体-金属(MSM)光电探测器。在-1 V偏压下,暗电流为2.4×10-7A;在零偏压下,光响应波长范围扩展到1.6μm以上。

关 键 词：Ge  弛豫缓冲层  MSM光电探测器

分 类 号：TH867.91[仪器类]