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期刊文章详细信息

硅酸锌的电子结构(英文)  ( EI收录)  

Electronic Structures of Zn_2SiO_4

  

文献类型:期刊文章

作  者:张华[1] 冯夏[1] 康俊勇[1]

机构地区:[1]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005

出  处:《发光学报》

基  金:国家自然科学基金(60376015,90206030,60336020,10134030);国家"973"计划(001CB610505);福建省科技项目(2004H054,E0410007)资助项目~~

年  份:2006

卷  号:27

期  号:5

起止页码:750-754

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用局域密度泛函理论和第一性原理的方法,计算四方结构和六角结构硅酸锌的平衡晶格常数、电子态密度和能带结构。计算结果表明,四方结构硅酸锌的平衡晶格常数为0.71048nm,六角结构为1.40877nm,两者与实验值的误差均在1%左右。态密度图显示,主要电子态分布在-7.18~0.00eV和2.79~10.50eV两个能量区域;同时,不同元素电子对导带和价带有不同贡献,其中氧的p态电子对价带顶贡献最大,锌的s态电子对导带底贡献最大。能带计算表明,四方与六角结构硅酸锌均为直接带隙半导体,禁带宽度分别为2.66,2.89eV。

关 键 词:硅酸锌 电子态密度 能带结构  

分 类 号:O471.5]

参考文献:

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同被引文献:

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