文献类型：期刊文章

作　　者：林伟[1] 李书平[1] 康俊勇[1]

机构地区：[1]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家重点基础研究发展规划(001CB610505);国家自然科学基金(90206030,60376015,60336020,10134030);福建省自然科学基金(E0410007,2004H054)资助项目~~

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：1

起止页码：99-103

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底与价带顶的简并能级发生分裂,同时量子阱沿垂直结面方向存在分立的能级。此外,针对影响能带的In组分波动、能带弯曲等问题进行探讨,以准确描述其电子行为,从而深入系统地了解InGaN/GaN量子阱的电学光学等特性。

关 键 词：INGAN 量子阱  VASP 能带结构  

分 类 号：O471.5] O472.3[物理学类]