文献类型：期刊文章

作　　者：张小英[1] 陈松岩[1] 赖虹凯[1] 李成[1] 余金中[1]

机构地区：[1]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,厦门361005

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60336010);福建省自然科学基金(批准号:A0410008)资助项目~~

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：2

起止页码：213-216

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：20071510544666)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度.

关 键 词：硅片键合 界面特性  金属过渡层  键合机理  

分 类 号：TN304.05]