文献类型：期刊文章

作　　者：周志文[1] 贺敬凯[1] 王瑞春[1] 李成[2] 余金中[3]

机构地区：[1]深圳信息职业技术学院电子通信技术系,广东深圳518029 [2]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005 [3]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404)

年　　份：2010

卷　　号：21

期　　号：11

起止页码：1609-1613

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20105013489488)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器。采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生长探测器材料。测试表明,器件的暗电流主要来源于表面漏电流,暗电流密度随着尺寸的增加而减小,在2V偏压时暗电流密度可达17.2mA/cm2;器件在波长1.31μm处的响应度高达0.22A/W,对应量子效率为20.8%。无偏压时,器件的响应光谱在1.2～1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分别位于1.25、1.35、1.45和1.55μm左右,峰值半高宽约为50nm,共振增强效应是由SOI衬底的高反射率引起的。采用传输矩阵法模拟的响应光谱与实验测量结果吻合良好。

关 键 词：锗(Ge)  光电探测器 张应变  共振增强效应  

分 类 号：TN315]