文献类型：期刊文章

作　　者：周志玉[1] 周志文[1] 李成[1] 陈松岩[1] 余金中[1] 赖虹凯[1]

机构地区：[1]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金项目(60336010,60676027);福建省工业科技重点项目(2006H0036);福建省自然科学基金项目(A0410008);国家“973”计划资助项目(2007CB613404)

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：2

起止页码：220-225

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理。结果表明，从二维向三维岛跃迁后，最初形成的高宽比（高度与底宽的比值）在0．04～0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛，两种岛的分布随淀积参数的变化而变化。在高温下小岛几乎消失，流量的变化对小岛的密度影响较小。实验中获得小岛的密度最高为2．6×10^10cm^-2，圆顶岛的密度最高为4．2×10^9cm^-2。

关 键 词：GE量子点 超高真空化学气相淀积  S-K生长模式  

分 类 号：TN304.1]