文献类型：期刊文章

作　　者：陈荔群[1] 周志文[2] 李成[2] 赖虹凯[2] 陈松岩[2]

机构地区：[1]集美大学诚毅学院,福建厦门361021 [2]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676027);国家重点基础研究发展计划"973"资助项目(2007CB613404);国家自然科学基金委重点基金资助项目(60837001);福建省重点科技资助项目(2006H0036)

年　　份：2009

卷　　号：20

期　　号：8

起止页码：1012-1015

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20094412411854)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：以外延Ge薄膜为吸收区,在Si基上制备了Ge波导光电探测器。利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,采取低温高温两步法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为500nm的高质量纯Ge层。探测器采用脊型波导结构,Al电极分别制作在波导的台面上下形成背对背肖特基结。I-V特性测试表明,在-1V偏压下,暗电流密度为0.2mA/cm2。由于Si与Ge热失配引起外延的Ge薄膜受到0.2%张应变,减小了Ge带隙,光响应波长范围扩展到1.60μm以上。在70mW、1.55μm入射光照射下,测得光电流比暗电流高出近1个数量级。

关 键 词：Ge  波导 光电探测器

分 类 号：TN36]