文献类型：期刊文章

作　　者：徐群和[1] 康俊勇[1]

机构地区：[1]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(60376015;90206030;60336020;10134030);国家"973"计划(001CB610505);福建省科技项目(2004H054;E0410007)资助项目

年　　份：2006

卷　　号：27

期　　号：4

起止页码：509-513

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用第一性原理量子力学分子动力学方法,基于32个原子的超原胞模型,计算了ZnO中各种L i相关缺陷的有关几何和电子结构。通过不同模型的计算分析表明,ZnO中L i杂质在间隙位上的总能比替位Zn格位的能量更低,但却形成施主能级。进一步通过构造L i替Zn位L iZn与不同本征缺陷所构成的复合体结构,并对模拟计算的结果进行分析比较得出,O反位OZn可与L iZn形成比L i间隙位更稳定的复合体,可高溶解度地稳定存在于ZnO中,并在禁带中产生受主能级,是较好的p型导电性候选缺陷。

关 键 词：ZNO 本征缺陷 Li掺杂  第一性原理计算

分 类 号：O474] O775[物理学类]