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期刊文章详细信息

微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用    

Progress in the Development of Microwave High Power SiGe HBT's and Its Applications

  

文献类型:期刊文章

作  者:徐剑芳[1] 李成[1] 赖虹凯[1]

机构地区:[1]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005

出  处:《微电子学》

基  金:国家自然科学基金重点资助项目(60336010);福建省青年科技人才创新项目(2004J021)资助

年  份:2005

卷  号:35

期  号:5

起止页码:521-526

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。

关 键 词:SIGE 异质结双极晶体管 微波 大功率

分 类 号:TN304.24]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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