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嘉兴科民电子设备技术有限公司 收藏

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研究主题:原子层沉积    太阳能电池    ALD    等离子体增强    腔体    

研究学科:自动化类    电子信息类    电气类    机械类    交通运输类    

被引量:8H指数:2EI: 3 北大核心: 4 CSCD: 3

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82 条 记 录,以下是 1-10

等离子体增强原子层沉积系统及其应用研究 ( EI收录)
1
《真空科学与技术学报》浙江大学电气工程学院;中国科学院微电子研究所微电子集成电路重点实验室;嘉兴科民电子设备技术有限公司 万军 饶志鹏 方攸同 陈波 李超波 夏洋  出版年:2014
极大规模集成电路制造装备及成套工艺项目(2009ZX02039);中国科学院科研装备研制项目(YZ200755);中国博士后基金资助项目(2011M500996);中国博士后基金特别资助项目(2012T50513)
介绍了自行设计的等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统及其原位制备氮掺杂纳米TiO2可见光催化剂的实验结果。PEALD系统主要由远程脉冲感应耦合等离子体发生器、真空反应腔室、真空系统、前驱体输运系统、控制系统等部分组成...
关键词:等离子体增强原子层沉积  原位掺杂 氮掺杂TiO2  结构表征  
集束型多层纳米薄膜沉积设备的研制 ( EI收录)
2
《真空科学与技术学报》中国科学院微电子研究所仪器设备研发中心;中国科学院大学;嘉兴科民电子设备技术有限公司 杨胜 夏洋 兰丽丽 陶晓俊 冯嘉恒 明帅强 卢维尔 屈芙蓉 刘涛  出版年:2020
运用模块化的设计构想,将等离子体增强原子层沉积工艺单元、热型原子层沉积工艺单元,直流磁控溅射单元和射频磁控溅射工艺单元进行高度优化集成,研制了集束型多层纳米薄膜沉积设备。设备创新采用真空旋转传输平台,替代了传统集成设备的...
关键词:原子层沉积 磁控溅射 薄膜制备  集束型设备  
基于ANSYS的原子层沉积加热系统温度均匀性分析
3
《盐城工学院学报(自然科学版)》盐城工学院机械工程学院;嘉兴科民电子设备技术有限公司 孙彦庆 周临震 冯嘉恒 吴有德  出版年:2022
为了研究提高原子层沉积加热系统温度均匀性的有效解决方案,采用ANSYS仿真软件建立原子层沉积反应室模型。利用控制变量法,以提高衬底的温度均匀性为目标,观察气体入口流量、电阻片与加热盘的距离和加热温度对反应室热场的影响。随...
关键词:原子层沉积 反应室  温度均匀性 仿真分析  
原子层沉积法制备SnO_(2)薄膜及其对钙钛矿电池性能的影响 ( EI收录)
4
《材料导报》中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心;中国科学院大学微电子学院;嘉兴科民电子设备技术有限公司;北京交通大学理学院 明帅强 王浙加 吴鹿杰 冯嘉恒 高雅增 卢维尔 夏洋  出版年:2022
国家重点研发计划(2018YFF0109100);国家自然科学基金(61427901)。
本工作以单晶硅为衬底、四(二甲氨基)锡和水为前驱体,研究原子层沉积技术制备氧化锡薄膜的工艺及其光学和电学性能,并将其应用于钙钛矿太阳能电池。通过调节基底温度,详细研究了沉积温度对SnO_(2)薄膜的沉积速率、电学、光学等...
关键词:原子层沉积 氧化锡薄膜  生长速率 氧空位 钙钛矿 太阳能电池
PC控制技术在ALD系统中的应用研究
5
《计算技术与自动化》上海理工大学;嘉兴科民电子设备技术有限公司;中国科学院微电子研究所仪器设备研发中心 徐硕 张轩雄 明帅强  出版年:2023
重大科学仪器设备开发资助项目(2018YFF01012703)。
针对当前国内原子层沉积(ALD)控制系统中存在硬件结构兼容性较差、数据交换及数据处理能力较弱等问题。通过分析ALD薄膜生长工艺特点,选定系统硬件配件,确定系统控制结构,设计出基于PC控制的ALD系统。系统采用Beckho...
关键词:原子层沉积 PC控制 ETHERCAT TWINCAT
在银币表面制备二氧化硅膜的方法、二氧化硅膜和银币
6
[发明专利] 嘉兴科民电子设备技术有限公司 20220127王浙加 李明 明帅强 夏洋 冯嘉恒  出版年:2022
本申请具体涉及在银币表面制备二氧化硅膜的方法、二氧化硅膜和银币,属于原子层沉积领域,包括步骤:前驱体沉积:将第一前驱体沉积在衬底表面,得到沉积膜;前驱体反应:将第二前驱体与所述沉积膜进行反应,得到二氧化硅层;循环进行所述...
一种原位制备掺杂黑硅的方法
7
[发明专利] 中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司 20100901夏洋 刘邦武 李超波 刘杰 汪明刚 李勇滔  出版年:2011
本发明公开了一种原位制备掺杂黑硅的方法,属于光电子器件制造技术领域。所述方法包括:将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内;先后向装置中通入具有刻蚀、钝化作用的混合气体和具有掺杂元素的气体,相应地分别调整黑硅制备装置的工艺参...
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板等离子体刻蚀机的电极
8
[发明专利] 嘉兴科民电子设备技术有限公司 20110920黄成强 汪明刚 陈波 李超波  出版年:2012
一种干法刻蚀坚硬无机材料基板等离子体刻蚀机的电极,包括用于与刻蚀腔固定连接的导轨器,所述导轨器内安装有可在其内作升降运动的升降器,所述升降器上固定连接有下电极托盘,所述下电极托盘设置在导轨器的上方,所述下电极托盘包括固定...
双腔ALD设备的底部匀气板及双腔ALD设备
9
[实用新型] 嘉兴科民电子设备技术有限公司 20231222闻梦瑶 明帅强 李明 王浙加 李国庆 戴昕童 车睿远 张亦哲  出版年:2024
本公开涉及双腔ALD设备技术领域,尤其涉及一种双腔ALD设备的底部匀气板及双腔ALD设备。一种双腔ALD设备的底部匀气板,包括板体、进气腔体和出气腔体,进气腔体和出气腔体设置你在板体上,进气腔体包括第一进气腔室和第二进气...
一种多层薄膜的制备装置
10
[发明专利] 嘉兴科民电子设备技术有限公司 20180806夏洋  出版年:2018
本发明公开了一种多层薄膜的制备装置,涉及材料技术领域,所述装置包括:第一腔室,所述第一腔室具有一容置空间;第二腔室,所述第二腔室设置在所述容置空间内,且所述第二腔室容置第一材质;第三腔室,所述第三腔室与所述第二腔室相对设...
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