专利详细信息
文献类型:专利
专利类型:发明专利
是否失效:否
是否授权:否
申 请 号:CN201810886284.7
申 请 日:20180806
申 请 人:嘉兴科民电子设备技术有限公司
申请人地址:314006 浙江省嘉兴市南湖区亚太路778号(嘉兴科技城)9号303室
公 开 日:20181106
公 开 号:CN108754427A
代 理 人:刘杰
代理机构:11570 北京众达德权知识产权代理有限公司
语 种:中文
摘 要:本发明公开了一种多层薄膜的制备装置,涉及材料技术领域,所述装置包括:第一腔室,所述第一腔室具有一容置空间;第二腔室,所述第二腔室设置在所述容置空间内,且所述第二腔室容置第一材质;第三腔室,所述第三腔室与所述第二腔室相对设置,且所述第三腔室容置第二材质;传送机构,所述传送机构设置在所述容置空间内。通过上述装置解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件,导致成本和占用空间均增加的技术问题,达到了单一真空中实现多种薄膜生长,体积小,装置简单,效率高,操作简单且成本低的技术效果。
主 权 项:1.一种多层薄膜的制备装置,其特征在于,所述装置包括:第一腔室,所述第一腔室具有一容置空间;第二腔室,所述第二腔室设置在所述容置空间内,且所述第二腔室容置第一材质;第三腔室,所述第三腔室与所述第二腔室相对设置,且所述第三腔室容置第二材质;传送机构,所述传送机构设置在所述容置空间内。
关 键 词:第二腔室 容置空间 传送机构 第一腔室 腔室 薄膜生长系统 材料技术领域 真空机械手 薄膜生长 多层薄膜 技术效果 腔室容置 相对设置 占用空间 制备装置 反应腔 集束型 体积小 真空泵 门阀 容置
IPC专利分类号:C23C14/22(20060101); C23C16/458(20060101); C23C14/50(20060101)
参考文献:
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引证文献:
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