文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202210101889.7

申 请 日：20220127

发 明 人：王浙加 李明 明帅强 夏洋 冯嘉恒

申 请 人：嘉兴科民电子设备技术有限公司

申请人地址：314006 浙江省嘉兴市南湖区亚太路778号(嘉兴科技城)9号303室

公 开 日：20220513

公 开 号：CN114481093A

语　　种：中文

摘　　要：本申请具体涉及在银币表面制备二氧化硅膜的方法、二氧化硅膜和银币，属于原子层沉积领域，包括步骤：前驱体沉积：将第一前驱体沉积在衬底表面，得到沉积膜；前驱体反应：将第二前驱体与所述沉积膜进行反应，得到二氧化硅层；循环进行所述前驱体沉积和所述前驱体反应，直至所述二氧化硅层的厚度达到目标厚度，得到二氧化硅膜；其中，所述第二前驱体包括含硅前驱体和含氧前驱体。通过首先在衬底上沉积第一前驱体，得到沉积膜，然后再将含氧前驱体和含硅前驱体与沉积膜反应，得到二氧化硅层，多次循环沉积后得到二氧化硅膜，二氧化硅膜硬度高，耐磨性强，进而沉积在银币表面时使得银币表面耐磨性强。

主 权 项：1.一种在银币表面制备二氧化硅膜的方法，其特征在于，包括步骤：前驱体沉积：将第一前驱体沉积在衬底表面，得到沉积膜；前驱体反应：将第二前驱体与所述沉积膜进行反应，得到二氧化硅层；循环进行所述前驱体沉积和所述前驱体反应，直至所述二氧化硅层的厚度达到目标厚度，得到二氧化硅膜；其中，所述第二前驱体包括含硅前驱体和含氧前驱体。

关 键 词：前驱体 二氧化硅膜 沉积  沉积膜  二氧化硅层  硅前驱体  含氧 表面耐磨性  原子层沉积 耐磨性 表面制备  衬底表面  多次循环  衬底  申请  

IPC专利分类号：C23C16/40;C23C16/455;A44C21/00