文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010269366.0

申 请 日：20100901

发 明 人：夏洋 刘邦武 李超波 刘杰 汪明刚 李勇滔

申 请 人：中国科学院微电子研究所 嘉兴科民电子设备技术有限公司

申请人地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号

公 开 日：20110119

公 开 号：CN101950777A

代 理 人：王建国

代理机构：北京市德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种原位制备掺杂黑硅的方法，属于光电子器件制造技术领域。所述方法包括：将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；先后向装置中通入具有刻蚀、钝化作用的混合气体和具有掺杂元素的气体，相应地分别调整黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围；黑硅制备装置分别产生等离子体，等离子体中的具有刻蚀、钝化作用的反应离子与硅片发生反应，形成黑硅，具有掺杂元素的离子基团在注入偏压的作用下被注入到硅中，实现原位制备掺杂黑硅。采用本方法，能够在同一台设备上实现原位制备掺杂黑硅，工艺简单，生产成本低，并且容易达到很高的掺杂浓度。

主 权 项：1.一种原位制备掺杂黑硅的方法，其特征在于，所述方法包括：将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；向所述黑硅制备装置通入混合气体，所述混合气体由具有刻蚀作用的气体和具有钝化作用的气体组成，调整所述黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围，所述黑硅制备装置产生等离子体，所述等离子体中的反应离子与所述硅片发生反应，形成黑硅；停止通入所述混合气体，并且抽出所述黑硅制备装置中的所有气体；保持所形成的黑硅在原位，向所述黑硅制备装置中通入具有掺杂元素的气体，调整所述黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围，所述黑硅制备装置产生等离子体，所述等离子体中的具有掺杂元素的离子或离子基团被注入到所述黑硅中，实现原位制备掺杂黑硅。

关 键 词：黑硅  掺杂 原位制备 制备装置  等离子体  钝化作用  硅片 刻蚀  光电子器件 掺杂浓度  反应离子 混合气体 离子基团  数值范围  生产成本  

IPC专利分类号：H01L31/18(20060101)