文献类型：期刊文章

作　　者：明帅强[1,2,3] 王浙加[3] 吴鹿杰[1,4] 冯嘉恒[3] 高雅增[1,2] 卢维尔[1,2] 夏洋[1,2]

MING Shuaiqiang;WANG Zhejia;WU Lujie;FENG Jiaheng;GAO Yazeng;LU Weier;XIA Yang(Microelectronic Instrument and Equipment Research Center,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;School of Microelectronics,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 101407,China;Jiaxing Kemin Electronic Equipment Technology Co.,Ltd.,Jiaxing 314022,Zhejiang,China;School of Science,Beijing Jiaotong University,Beijing 100044,China)

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京100029 [2]中国科学院大学微电子学院,北京101407 [3]嘉兴科民电子设备技术有限公司,浙江嘉兴314022 [4]北京交通大学理学院,北京100044

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家重点研发计划(2018YFF0109100);国家自然科学基金(61427901)。

年　　份：2022

卷　　号：36

期　　号：7

起止页码：122-127

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本工作以单晶硅为衬底、四(二甲氨基)锡和水为前驱体,研究原子层沉积技术制备氧化锡薄膜的工艺及其光学和电学性能,并将其应用于钙钛矿太阳能电池。通过调节基底温度,详细研究了沉积温度对SnO_(2)薄膜的沉积速率、电学、光学等特性的影响,采用钙钛矿太阳能电池器件辅助验证SnO_(2)薄膜的性能。研究发现,随着基底温度的升高,沉积速率逐渐下降,原子层沉积的温度窗口在120~250℃;折射率随着温度的升高逐渐增大,带隙随温度升高而减小;沉积温度越高,表面氧空位缺陷浓度越大。SnO_(2)薄膜的工艺温度对钙钛矿太阳能电池性能有较大影响,采用160℃沉积的SnO_(2)薄膜作钙钛矿太阳能电池的电子传输层,可获得最优的电池性能,反扫最高效率为18.68%,此时器件的截止电压为1.077 V,短路电流密度为23.67 mA/cm^(2),填充因子为73.3%,且器件具有较小的迟滞效应。

关 键 词：原子层沉积 氧化锡薄膜  生长速率 氧空位 钙钛矿 太阳能电池

分 类 号：TB321[材料类]