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河北汉盛光电科技有限公司 收藏

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研究主题:光伏发电系统    薄膜太阳能电池    太阳能电池    衬底温度    非晶硅薄膜    

研究学科:电气类    电子信息类    经济学类    能源动力类    矿业类    

被引量:27H指数:3WOS: 2 EI: 7 北大核心: 14 CSCD: 13

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56 条 记 录,以下是 1-10

用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究 ( EI收录)
1
《人工晶体学报》华中科技大学光学与电子信息学院;河北汉盛光电科技有限公司 程碧胜 雷青松 徐静平 薛俊明  出版年:2012
利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响。通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜。在此基础上制备出效率为...
关键词:非晶硅锗  氢稀释率  衬底温度 太阳能电池
衬底温度对MOCVD-ZnO薄膜特性的影响 ( EI收录)
2
《人工晶体学报》华中科技大学电子科学与技术系;河北汉盛光电科技有限公司 孙小虎 雷青松 曾祥斌 薛俊明 鞠洪超 陈阳洋  出版年:2012
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,制备本征ZnO薄膜,并研究薄膜的结构、形貌及光电等性能。结果表明:衬底温度对ZnO薄膜的微观结构、电学、光学及表面形貌等有显著影响。在衬底温度为180℃时获得电阻率为2....
关键词:MOCVD 绒面ZnO薄膜  衬底温度 太阳电池
nc-Si:H/c-Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化 ( SCI收录)
3
《物理化学学报》河北工业大学光电功能晶体材料河北省工程实验室;石家庄铁道大学数理系应用物理研究所;河北汉盛光电科技有限公司 乔治 解新建 薛俊明 刘辉 梁李敏 郝秋艳 刘彩池  出版年:2015
国家高技术研究发展计划项目(863)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划项目(Z2010304)资助~~
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度(CS)对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响.将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅(nc-...
关键词:本征硅薄膜  射频等离子体增强化学气相沉积  界面钝化  少子寿命 硅异质结太阳电池  
P型非晶硅薄膜制备及其在HIT太阳电池中应用 ( EI收录)
4
《人工晶体学报》河北工业大学信息工程学院;河北汉盛光电科技有限公司 齐晓光 杨瑞霞 雷青松 薛俊明  出版年:2014
采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料,研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对两者优化,制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口层应用到HIT太阳电池中,对其厚度进行优化,在...
关键词:RF-PECVD 非晶硅薄膜 硼烷浓度  加热温度 HIT太阳电池  
用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究 ( EI收录)
5
《人工晶体学报》河北工业大学材料学院信息功能材料研究所;河北汉盛光电科技有限公司 温迪 雷青松 乔治 高美伶 薛俊明 张雯  出版年:2013
天津市自然科学基金(10JCYBJC03000)
采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响。通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10^-4Ω·cm,可见光波段(400—800nm)平均透过率为82.3%...
关键词:ITO薄膜 衬底温度 溅射功率 HIT太阳能电池  
用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究 ( EI收录)
6
《人工晶体学报》河北工业大学信息工程学院;河北汉盛光电科技有限公司 齐晓光 雷青松 杨瑞霞 薛俊明 柳建平  出版年:2013
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明,在硅烷浓度为5%时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系...
关键词:iRF-PECVD  非晶硅薄膜 硅烷浓度  HIT太阳电池  
射频功率对非晶硅薄膜光电性能的影响
7
《真空》河北工业大学信息工程学院;河北汉盛光电科技有限公司 山秀文 雷青松 薛俊明 杨瑞霞 安会静 李广  出版年:2011
采用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术,在Corning Eg 2000玻璃上制备非晶硅薄膜,研究了射频功率对薄膜光电性能的影响。结果表明:通过调节功率可获得具有高折射率,高吸收系数,低暗电导率的非晶硅薄膜。
关键词:非晶硅薄膜 折射率 吸收系数  光学带隙 暗电导率  
利用脉冲直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜的研究
8
《真空》河北工业大学信息工程学院;河北汉盛光电科技有限公司 安会静 雷青松 薛俊明 杨瑞霞 山秀文 李广  出版年:2011
国家科技部科技创新基金(10C26211303683)
利用中频脉冲直流磁控溅射法制备了平面ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,研究了沉积压力、衬底温度和溅射功率对AZO薄膜光电性能、薄膜稳定性的影响。结果表明:在较低沉积压力、衬底温度及溅射功率下,可获得具有低电阻率、高透过...
关键词:ZNO:AL 磁控溅射 脉冲直流  AZO
本征层厚度对非晶硅叠层电池电流匹配的影响
9
《电子元件与材料》天津中德职业技术学院;歌美飒风电(天津)有限公司;天津津能电池科技有限公司;河北汉盛光电科技有限公司 邱美艳 赵晓宾 于冬安 张庆宝  出版年:2015
采用PECVD技术制备a-Si:H/a-Si:H叠层双结非晶硅电池,研究了本征层厚度对叠层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征层的沉积时间,得到不同厚度比例的本征层(di1:di2),经过实验对比发现I层...
关键词:非晶硅 叠层电池 本征层  沉积  短路电流 工艺参数
各阶段缓冲层对单结非晶硅锗电池的影响 ( EI收录)
10
《真空科学与技术学报》衡水学院;石家庄铁道大学;河北汉盛光电科技有限公司 杜鹏 张军芳 李同楷 薛俊明  出版年:2015
衡水学院2013年度"服务地方社会发展"一般课题(编号:2013050)
通过等离子体增强化学气相沉积工艺制备非晶硅锗电池各层材料,系统地研究了非晶硅锗(a-Si Ge∶H)电池中各界面缓冲层和本征层Ge含量的缓变过渡对电池性能的影响。研究发现,P/I界面缓冲层的a-Si C∶B可以用a-Si...
关键词:缓冲层 非晶硅锗  带隙失配  氢稀释  
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