文献类型：期刊文章

作　　者：乔治[1,2] 解新建[1] 薛俊明[3] 刘辉[1] 梁李敏[1] 郝秋艳[1] 刘彩池[1]

机构地区：[1]河北工业大学光电功能晶体材料河北省工程实验室,天津300130 [2]石家庄铁道大学数理系应用物理研究所,石家庄050043 [3]河北汉盛光电科技有限公司,河北衡水053000

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家高技术研究发展计划项目(863)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划项目(Z2010304)资助~~

年　　份：2015

卷　　号：31

期　　号：6

起止页码：1207-1214

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000356842900025)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000356842900025)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度（CS）对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响.将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅（nc-Si：H/c-Si）硅异质结（SHJ）太阳电池中,研究了硅烷浓度和薄膜厚度对电池性能的影响.实验发现：随着硅烷浓度的降低,本征硅薄膜的晶化率、氢含量、结构因子、光学带隙和光敏性等都在过渡区急剧变化;本征硅薄膜的钝化性能由薄膜的氢含量及氢的成键方式决定.靠近过渡区的薄膜具有较好的致密性和光敏性,氢含量最高,带隙态密度低,且主要以Si H形式成键,对硅片表现出优异的钝化性能,使电池的开路电压大幅提高.但是,当薄膜的厚度过小时,会严重影响其钝化质量.本实验中,沉积本征硅薄膜的最优硅烷浓度为6%（摩尔分数）,且当薄膜厚度为~8 nm时,所制备电池的性能最好.实验最终获得了开路电压为672 m V,短路电流密度为35.1 m A·cm-2,填充因子为0.73,效率为17.3%的nc-Si：H/c-Si SHJ太阳电池.

关 键 词：本征硅薄膜  射频等离子体增强化学气相沉积  界面钝化  少子寿命 硅异质结太阳电池  

分 类 号：O613.72] TM914.4[化学类]