文献类型：期刊文章

作　　者：温迪[1] 雷青松[2] 乔治[1] 高美伶[2] 薛俊明[2] 张雯[1]

机构地区：[1]河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津300130 [2]河北汉盛光电科技有限公司,衡水053000

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：天津市自然科学基金(10JCYBJC03000)

年　　份：2013

卷　　号：42

期　　号：10

起止页码：2002-2006

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20135017075684)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜，研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响。通过对二者的优化，获得了方阻为2．99Ω／□，电阻率为1．76×10^-4Ω·cm，可见光波段（400—800nm）平均透过率为82．3％的ITO薄膜。将优化后的薄膜用于电池上，制出了转化效率为14．04％的HIT太阳能电池。

关 键 词：ITO薄膜 衬底温度 溅射功率 HIT太阳能电池  

分 类 号：O484]