文献类型：期刊文章

作　　者：孙小虎[1] 雷青松[1] 曾祥斌[1] 薛俊明[2] 鞠洪超[2] 陈阳洋[1]

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074 [2]河北汉盛光电科技有限公司,衡水053000

出　　处：《人工晶体学报》

年　　份：2012

卷　　号：41

期　　号：6

起止页码：1494-1497

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20130515953707)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,制备本征ZnO薄膜,并研究薄膜的结构、形貌及光电等性能。结果表明:衬底温度对ZnO薄膜的微观结构、电学、光学及表面形貌等有显著影响。在衬底温度为180℃时获得电阻率为2.17×10-2Ω.cm。平均透过率为85%的低电阻、高透过率、结晶质量高、表面呈绒面结构的本征ZnO薄膜。对本征ZnO薄膜进一步掺杂和结构优化有望用于硅薄膜太阳能电池的前电极。

关 键 词：MOCVD 绒面ZnO薄膜  衬底温度 太阳电池

分 类 号：O484]