文献类型：期刊文章

作　　者：邱美艳[1] 赵晓宾[2] 于冬安[3] 张庆宝[4]

机构地区：[1]天津中德职业技术学院,天津300350 [2]歌美飒风电(天津)有限公司,天津300384 [3]天津津能电池科技有限公司,天津300384 [4]河北汉盛光电科技有限公司,河北衡水053000

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2015

卷　　号：34

期　　号：2

起止页码：31-34

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用PECVD技术制备a-Si:H/a-Si:H叠层双结非晶硅电池,研究了本征层厚度对叠层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征层的沉积时间,得到不同厚度比例的本征层(di1:di2),经过实验对比发现I层总体厚度为650 nm,di1:di2=1:5时得到的电池组件短路电流(Isc)和最大功率(Pmax)都是最大值。此时叠层电池的电流得到了较好的匹配,实现了工艺参数的优化。

关 键 词：非晶硅 叠层电池 本征层  沉积  短路电流 工艺参数

分 类 号：TN305]