文献类型：期刊文章

作　　者：杜鹏[1] 张军芳[1] 李同楷[2] 薛俊明[3]

机构地区：[1]衡水学院,衡水053000 [2]石家庄铁道大学,石家庄050000 [3]河北汉盛光电科技有限公司,衡水053000

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：衡水学院2013年度"服务地方社会发展"一般课题(编号:2013050)

年　　份：2015

卷　　号：35

期　　号：7

起止页码：878-883

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、EI(收录号：20153601245697)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过等离子体增强化学气相沉积工艺制备非晶硅锗电池各层材料,系统地研究了非晶硅锗(a-Si Ge∶H)电池中各界面缓冲层和本征层Ge含量的缓变过渡对电池性能的影响。研究发现,P/I界面缓冲层的a-Si C∶B可以用a-Si C替代,来降低带隙失配;在不同的氢稀释条件下制备出光敏性在105以上的a-Si Ge∶H本征层材料;通过调整P/I界面非晶硅锗缓冲层的制备工艺,设计"V"型电池结构,以及优化I/N界面,制备出效率7.53%的非晶硅锗电池(未加减反射层)。

关 键 词：缓冲层 非晶硅锗  带隙失配  氢稀释  

分 类 号：TM615]