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期刊文章详细信息

射频功率对非晶硅薄膜光电性能的影响    

Effect of RF power on the photoelectric properties of amorphous silicon thin films

  

文献类型:期刊文章

作  者:山秀文[1] 雷青松[2] 薛俊明[2] 杨瑞霞[1] 安会静[1] 李广[1]

机构地区:[1]河北工业大学信息工程学院,天津300401 [2]河北汉盛光电科技有限公司,河北衡水053000

出  处:《真空》

年  份:2011

卷  号:48

期  号:6

起止页码:29-31

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术,在Corning Eg 2000玻璃上制备非晶硅薄膜,研究了射频功率对薄膜光电性能的影响。结果表明:通过调节功率可获得具有高折射率,高吸收系数,低暗电导率的非晶硅薄膜。

关 键 词:非晶硅薄膜 折射率 吸收系数  光学带隙 暗电导率  

分 类 号:O484.4]

参考文献:

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同被引文献:

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