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P型非晶硅薄膜制备及其在HIT太阳电池中应用 ( EI收录)
Fabrication of P-type a-Si∶ H Thin Films and Its Application in HIT Solar Cells
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300401 [2]河北汉盛光电科技有限公司,衡水053000
年 份：2014
卷 号：43
期 号：2
起止页码：280-284
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141517560042)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：采用RF-PECVD沉积技术制备P型非晶硅薄膜材料,研究硼烷浓度和加热温度对薄膜性能的影响。通过对两者优化,制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口层应用到HIT太阳电池中,对其厚度进行优化,在N型单晶硅衬底上制备出了效率为14.28%的HIT太阳电池。
关 键 词：RF-PECVD 非晶硅薄膜 硼烷浓度 加热温度 HIT太阳电池
分 类 号：O484.4]
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