文献类型：期刊文章

作　　者：齐晓光[1] 雷青松[2] 杨瑞霞[1] 薛俊明[2] 柳建平[1]

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300401 [2]河北汉盛光电科技有限公司,衡水053000

出　　处：《人工晶体学报》

年　　份：2013

卷　　号：42

期　　号：11

起止页码：2230-2234

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20140117158306)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能。研究表明,在硅烷浓度为5%时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性。作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92%的太阳电池。

关 键 词：iRF-PECVD  非晶硅薄膜 硅烷浓度  HIT太阳电池  

分 类 号：O484.4]