期刊文章详细信息
用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究 ( EI收录)
Study on Preparation and Properties of a-SiGe∶H Film for Solar Cells
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]华中科技大学光学与电子信息学院,武汉430074 [2]河北汉盛光电科技有限公司,衡水053000
年 份：2012
卷 号：41
期 号：6
起止页码：1514-1518
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响。通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜。在此基础上制备出效率为6.65%的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池。
关 键 词：非晶硅锗 氢稀释率 衬底温度 太阳能电池
分 类 号：TK514]
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