东莞市天域半导体科技有限公司 
研究主题：外延片 硅外延 碳化硅 石英管 碳化
研究学科：电子信息类 自动化类 经济学类 水利类 电气类
- 超高压4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生长
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- 《电力电子技术》东莞市天域半导体科技有限公司;中国科学院半导体研究所 孙国胜 张新和 韩景瑞 刘丹 出版年：2017
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管 碳化硅 化学气相沉积
- 一种气缸加压式环刀型修盘器及其清洗抛光垫的方法
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- [发明专利] 东莞市天域半导体科技有限公司 20190920卓俊辉 孔令沂 邓菁 韩景瑞 孙国胜 李锡光 出版年：2019
- 一种碳化硅外延晶片生长用样品托上的复合涂层制备方法
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- [发明专利] 东莞市天域半导体科技有限公司 20210922丁雄傑 韩景瑞 杨旭腾 种涞源 李锡光 出版年：2021
- 一种SiC雪崩光电二极管器件外延材料的制备方法
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- [发明专利] 东莞市天域半导体科技有限公司 20170617张新河 孔令沂 韩景瑞 刘丹 孙国胜 李锡光 萧黎鑫 出版年：2017
- 一种垂直式碳化硅高温氧化装置
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- [发明专利] 东莞市天域半导体科技有限公司 20120619孙国胜 董林 王雷 赵万顺 刘兴昉 闫果果 郑柳 出版年：2012
- 一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
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- [实用新型] 东莞市天域半导体科技有限公司 20161221孙国胜 杨富华 宁瑾 刘兴昉 赵永梅 王占国 李锡光 张新河 出版年：2017
- 一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
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- [发明专利] 东莞市天域半导体科技有限公司 20220530刘丹 刘福成 冯禹 李锡光 出版年：2022
- 一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
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- [发明专利] 东莞市天域半导体科技有限公司 20120725孙国胜 董林 王雷 赵万顺 刘兴昉 闫果果 郑柳 出版年：2015
- 一种超高温双层水冷石英管真空室用双密封结构
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- [发明专利] 东莞市天域半导体科技有限公司 20131009孙国胜 董林 王雷 赵万顺 刘兴昉 闫果果 郑柳 出版年：2016
- 一种SiC外延片的化学机械清洗方法及专用工具
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- [发明专利] 东莞市天域半导体科技有限公司 20140723张新河 孙国胜 李锡光 萧黎鑫 刘丹 谢建良 范志颂 出版年：2014
