文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201621419794.6

申 请 日：20161221

发 明 人：孙国胜 杨富华 宁瑾 刘兴昉 赵永梅 王占国 李锡光 张新河

申 请 人：东莞市天域半导体科技有限公司

申请人地址：523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼

公 开 日：20171013

公 开 号：CN206553653U

代 理 人：罗晓聪

代理机构：44228 广州市南锋专利事务所有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型公开一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构包括：外延生长室，其由感应加热材料制成，该外延生长室中形成有一矩形腔室，且该外延生长室于矩形腔室中设置有承载槽，藉由该承载槽承载用于装载SiC晶片的8英寸的托盘，该外延生长室两侧分别设置有贯通矩形腔室的进气口和出气口；一硬质保温层，其紧密包裹在所述的外延生长室的外围，以对外延生长室保温，及减少外延生长室的热辐射；一导气管连接器，其设于外延生长室的进气口处，并伸出于硬质保温层外；一用于引导反应气体在进入外延生长室之前呈层流状态的上游导气管，其套接于导气管连接器上；一用于引导尾气排出的下游导气管，其设于外延生长室的出气口处，并伸出于硬质保温层外。

主 权 项：1.一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构，其特征在于：其包括：外延生长室(10)，其由感应加热材料制成，该外延生长室(10)中形成有一矩形腔室(100)，且该外延生长室(10)于矩形腔室(100)中设置有承载槽(101)，藉由该承载槽(101)承载用于装载SiC晶片的8英寸的托盘(102)，该外延生长室(10)两侧分别设置有贯通矩形腔室(100)的进气口(103)和出气口(104)；一硬质保温层(5)，其紧密包裹在所述的外延生长室(10)的外围，以对外延生长室(10)保温，及减少外延生长室(10)的热辐射；一导气管连接器(6)，其设于外延生长室(10)的进气口(103)处，并伸出于硬质保温层(5)外；一用于引导反应气体在进入外延生长室(10)之前呈层流状态的上游导气管(7)，其套接于导气管连接器(6)上；一用于引导尾气排出的下游导气管(8)，其设于外延生长室(10)的出气口(104)处，并伸出于硬质保温层(5)外。

关 键 词：外延生长室  导气管  硬质保温层  矩形腔室  进气口  连接器  承载槽  感应加热材料  伸出  本实用新型  高温碳化硅  层流状态  出气口处  反应气体 紧密包裹  托盘  出气口  热辐射 生长室  单片 排出  套接  保温  尾气  装载  承载  贯通  外围  上游  

IPC专利分类号：C30B25/08(20060101);C30B25/14(20060101);C30B29/36(20060101)