文献类型：期刊文章

作　　者：孙国胜[1,2] 张新和[1] 韩景瑞[1] 刘丹[1]

机构地区：[1]东莞市天域半导体科技有限公司,广东东莞523808 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《电力电子技术》

基　　金：国家重点研发计划(2016YFB0400402;2016YFB-0400901)~~

年　　份：2017

卷　　号：51

期　　号：8

起止页码：30-33

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD_E2017_2018、核心刊

摘　　要：介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法,使用"热壁"CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n^+型4H-SiC衬底上进行了p型4H-SiC外延层及p型绝缘栅双极型晶体管(p-IGBT)器件用p^-n^+结构材料生长,利用Candela CS920表征了100μm厚p型4H-SiC外延层表面缺陷及结构缺陷,典型表面缺陷为三角形缺陷和胡萝卜缺陷,3种结构缺陷分别是基晶面位错(BPD)、三角形肖克利型层错(SSF)和条形层错(BSF)。微波光电导衰退法(μ-PCD)测试表明,100μm厚p型4H-SiC外延层载流子寿命为2.29μs,采用二次离子质谱(SIMS)测试方法分析了不同铝(Al)掺杂浓度的深度分布,最高Al掺杂浓度为2×10^(19)cm^(-3)。

关 键 词：绝缘栅双极型晶体管 碳化硅  化学气相沉积

分 类 号：TN32]