文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202111107336.4

申 请 日：20210922

发 明 人：丁雄傑 韩景瑞 杨旭腾 种涞源 李锡光

申 请 人：东莞市天域半导体科技有限公司

申请人地址：523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼

公 开 日：20211231

公 开 号：CN113862781A

代 理 人：谢树宏

代理机构：44332 广东莞信律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种碳化硅外延晶片生长用样品托上的复合涂层制备方法，包括步骤：S1、采用射频线圈加热型CVD设备，在石墨材质样品托上沉积一层SiC涂层；S2、采用羊毛毡吸附旋转打磨的方式，在SiC涂层上镶嵌金刚石微纳颗粒；S3、在金刚石微纳颗粒上方异质外延一层金刚石多晶薄膜；S4、采用自动磨抛设备，对金刚石多晶膜表面进行研磨抛光；S5、采用步骤S1的相同方法，在金刚石多晶膜的表面沉积一层SiC涂层；S6、重复步骤S2至S5，获得具有多个周期性结构的复合涂层。该方法可以在样品托本体上实现具有高热导率和非均匀散热特性的复合涂层结构，可降低碳化硅外延过程中热应力型BPD位错的形成概率。

主 权 项：1.一种碳化硅外延晶片生长用样品托上的复合涂层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1)最底层碳化硅(SiC)涂层的沉积：将样品托本体放入到射频线圈加热型的化学气相沉积设备的腔体内，通入反应气体，在样品托本体表面发生反应沉积、并形成一层碳化硅(SiC)涂层；S2)金刚石微纳颗粒的镶嵌：采用羊毛毡吸附旋转打磨的方式，在碳化硅(SiC)涂层上镶嵌金刚石微纳颗粒；S3)金刚石多晶膜的异质外延生长：将步骤S2所获得的表面覆盖嵌有金刚石微纳颗粒和碳化硅(SiC)涂层的样品托放入到微波等离子化学气相沉积(MPCVD)设备腔体内，通入反应气体，以嵌在碳化硅(SiC)涂层的金刚石微纳颗粒为初始成核点，在碳化硅(SiC)涂层上异质外延生长、形成一层金刚石多晶薄膜；S4)金刚石多晶膜的研磨抛光：采用自动磨抛设备对步骤S3所获得的金刚石多晶膜表面进行研磨抛光；S5)上层碳化硅(SiC)涂层的沉积：采用步骤S1的相同方法，在金刚石多晶膜的表面沉积一层上层碳化硅(SiC)涂层。

关 键 词：金刚石  碳化硅外延  复合涂层  多晶膜  纳颗粒  样品托  复合涂层结构  样品托本体  周期性结构  表面沉积  多晶薄膜 高热导率 磨抛设备  散热特性  射频线圈 石墨材质  研磨抛光  异质外延  非均匀  加热型  热应力  羊毛毡  沉积  晶片  位错  吸附  制备  打磨  镶嵌  生长  重复  概率  

IPC专利分类号：C30B25/18(20060101);C30B29/36(20060101);C23C16/32(20060101);C23C16/56(20060101);C30B29/04(20060101);C30B28/14(20060101)