文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201710459925.6

申 请 日：20170617

发 明 人：张新河 孔令沂 韩景瑞 刘丹 孙国胜 李锡光 萧黎鑫

申 请 人：东莞市天域半导体科技有限公司

申请人地址：523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼

公 开 日：20170829

公 开 号：CN107104172A

代 理 人：罗晓聪

代理机构：44228 广州市南锋专利事务所有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开一种SiC雪崩光电二极管器件外延材料的制备方法，其包括以下步骤：S001：将SiC单晶衬底放在反应腔内，将反应腔加热1550℃‑1700℃，同时通入氢气以清洁SiC单晶衬底表面，且同时蚀刻过SiC单晶衬底表面，释放SiC单晶衬底表面的应力；S002：在SiC单晶衬底上生长调制形成具有多层渐变厚度和浓度的缓冲层；S003：在缓冲层上生长具有附带厚度等于或小于100nm的本征层的漂移层；S004：在漂移层上生长P+帽层；S005：退火，降温，取片。本发明采用多层渐变厚度和浓度的缓冲层有利于优化N型SiC单晶衬底与缓冲层之间、缓冲层之间、缓冲层与漂移层之间的电流电压特性，并减少各层表面的应力损伤，从而取得更理想的表面性能和电学性能。具有100nm本征层的漂移层有助于其浓度的精准控制。

主 权 项：1.一种SiC雪崩光电二极管器件外延材料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：S001：将SiC单晶衬底放在反应腔内，将反应腔加热1550℃-1700℃，同时通入氢气以清洁SiC单晶衬底表面，且同时蚀刻过SiC单晶衬底表面，释放SiC单晶衬底表面的应力；S002：在SiC单晶衬底之上生长调制形成具有多层渐变厚度和浓度的缓冲层；S003：在缓冲层之上生长具有附带厚度等于或小于100nm的本征层的低掺杂漂移层；S004：在漂移层之上生长P+帽层；S005：退火，降温，取片。

关 键 词：缓冲层  单晶 漂移层  衬底表面  衬底  本征层  反应腔  渐变  多层  生长  雪崩光电二极管 电流电压特性 蚀刻  退火  表面性能 电学性能 精准控制  外延材料  应力损伤  氢气  帽层  取片  调制  加热  制备  附带  清洁  释放  优化  

IPC专利分类号：H01L31/18(20060101);H01L31/107(20060101);H01L31/0312(20060101)