文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210260432.7

申 请 日：20120725

发 明 人：孙国胜 董林 王雷 赵万顺 刘兴昉 闫果果 郑柳

申 请 人：东莞市天域半导体科技有限公司

申请人地址：523000 广东省东莞市松山湖北部工业北一路五号

公 开 日：20151216

公 开 号：CN102747418B

代 理 人：罗晓聪

代理机构：44228 广州市南锋专利事务所有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法。该装置包括：不锈钢制作的密闭工作室、位于工作室内的石墨反应腔室、位于反应腔室的外围的加热组件；于反应腔室内设置有托盘槽，承载有碳化硅衬底的托盘放置于该托盘槽内；反应腔室具有一前后贯穿的通道，于通道的两端分别设置有进气装置和出气装置。处理时，将碳化硅衬底放入反应腔室内，然后进行抽真空、加热处理，接着通入反应气体，令碳化硅进行外延生长，最后取出即可。本发明的结构简单，相对于目前的石英管结构，其制作相对容易，并且便于加工，可用于处理面积较大的碳化硅。另外，本发明的工作室采用水冷不锈钢结构，具有较高的强度，不易损坏。

主 权 项：1.一种碳化硅外延生长装置，其特征在于：该系统包括：一密闭工作室(10)，该采用不锈钢材料制作的工作室(10)具有进样门(5)；一反应腔室(6)，该反应腔室(6)位于所述的工作室(10)内；一加热组件(9)，该加热组件(9)位于反应腔室(6)的外围，通过加热组件(9)对反应腔室(6)进行加热；于反应腔室(6)内设置有托盘槽(631)，承载有碳化硅衬底的托盘(64)放置于该托盘槽(631)内；上述的反应腔室(6)具有一前后贯穿的通道(60)，于通道(60)的两端分别设置有进气装置(7)和出气装置(8)，所述的进气装置(7)和出气装置(8)安装在工作室(10)上，气体由进气装置(7)进入反应腔室(6)内，并由出气装置(8)排出；所述的工作室(10)呈长方体，其由底盘(1)、上盖(2)和围设于四周的侧壁(3)构成，其中于相对两侧壁(3)上设置有进样门(5)和备用门(4)；所述的进气装置(7)包括：一进气器(71)、进气底盘(72)和进气通道(73)，所述的进气通道(73)通过进气底盘(72)与进气器(71)连通；所述的进气通道(73)安装在工作室(10)的底盘(1)上，其进气口与外部的气体输出装置连通；所述的进气底盘(72)安装于进气通道(73)的上方；所述的进气器(71)安装在进气底盘(72)上；所述的进气器(71)具有与进气底盘(72)连通的进气口(711)和与反应腔室(6)连通的出气口(712)；所述的进气器(71)的出气口(712)由多个均匀分布的气孔构成；于该进气口(711)和出气口(712)之间设置有至少两层进气挡板，每层进气挡板上设有密集程度不等的网孔结构；所述的出气装置(8)包括：一出气器(81)、出气底盘(82)和出气通道(83)，所述的出气通道(83)通过出气底盘(82)与出气器(81)连通；所述的出气通道(83)安装在工作室(10)的底盘(1)上，其出气口连通至工作室(10)外部；所述的出气底盘(82)安装于出气通道(83)的上方；所述的出气器(81)安装在出气底盘(82)�

关 键 词：反应腔室  碳化硅 碳化硅衬底 反应腔  托盘槽  工作室 外延生长装置  室内  不锈钢结构  不锈钢制作  托盘  不易损坏  出气装置  处理面积  反应气体 分别设置  加热处理  加热组件  进气装置  前后贯穿  室内设置  外延生长  抽真空  石英管 石墨  密闭  放入  可用  水冷 通入  一种  放置  取出  外围  承载  制作  加工  容易  进行  公开  处理  工作  

IPC专利分类号：C30B25/10(20060101);C30B25/16(20060101);C30B29/36(20060101)