文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202210598538.1

申 请 日：20220530

发 明 人：刘丹 刘福成 冯禹 李锡光

申 请 人：东莞市天域半导体科技有限公司

申请人地址：523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼

公 开 日：20220812

公 开 号：CN114899088A

代 理 人：李盛洪

代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其涉及半导体清洗工艺领域，其包括湿法清洗和气相清洗，所述气相清洗为使用氢气蚀刻去除晶片表面顽固的有机物，其中氢气的温度控制在900～1500℃；本技术方案的湿法清洗主要用于去除表面黏着的磨抛液、表面的无机污染物、表面部分有机污染物及其它强吸附性物质，气相清洗法主要去除外延表面强吸附性的有机物质，本技术方案能够有效解决碳化硅外延片表面贴膜保护对外延表面带来的有机污染，解决背面生长层或硅化物问题的同时保证晶片清洗质量，提高清洗效率；本发明解决现有技术中贴膜保护导致外延表面会有顽固有机物残留的技术问题。

主 权 项：1.一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其特征在于，包括湿法清洗和气相清洗，所述气相清洗为使用氢气蚀刻去除晶片表面顽固的有机物，其中氢气的温度控制在900～1500℃。

关 键 词：清洗  去除  碳化硅外延  湿法清洗 外延表面  氢气  贴膜 蚀刻  强吸附性物质  半导体清洗  无机污染物 有机污染物  有机物残留  表面贴膜  表面黏着  工艺领域  晶片表面  晶片清洗  强吸附性  清洗效率  有机污染  有机物质  有效解决  有机物 硅化物  磨抛液  生长层  硅面  晶片  背面  保证  

IPC专利分类号：H01L21/02