文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201410353373.7

申 请 日：20140723

发 明 人：张新河 孙国胜 李锡光 萧黎鑫 刘丹 谢建良 范志颂

申 请 人：东莞市天域半导体科技有限公司

申请人地址：523000 广东省东莞市松山湖北部工业北一路五号

公 开 日：20141126

公 开 号：CN104167351A

代 理 人：罗晓聪

代理机构：44228 广州市南锋专利事务所有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种SiC外延片的化学机械清洗方法以及该方法中的专用工具，该清洗方法包括：先将SiC外延晶片放置在基座上固定，晶片将通过基座实现旋转；其次，采用毛刷作为抛光刷，抛光刷自转并沿着晶片半径方向往复移动，对晶片的表面进行化学抛光清洗，其中，抛光液将通过抛光刷喷洒在晶片的表面；然后，提起抛光刷放下清洗刷，清洗刷自转并沿着晶片半径方向往复移动，对晶片的表面进行清洗，其中，去离子水将通过清洗刷喷洒在晶片的表面；接着，提起清洗刷，并用去离子水冲洗晶片表面；最后，用热氮气吹扫旋转的晶片表面，干燥晶片。本发明可以高效去除晶片表面污染残留物，并对晶片表面进行一定的修饰，达到提高表面粗糙度和去除表面应力的作用。

主 权 项：1.一种SiC外延片的化学机械清洗方法，其特征在于：本清洗方法是将化学机械抛光和清洗的方法结合起来，适用于有牢固附着缺陷的晶片表面，将中空设计的抛光刷与外部的管道连接，通过管道将抛光液输送到抛光刷的刷头部分，通过刷头对晶片表面进行抛光清洗，再通过清洗刷清洗晶体表面。

关 键 词：晶片 抛光刷  清洗刷  半径方向  去离子水  往复  自转  旋转  氮气  表面粗糙度  污染残留物 干燥晶片  化学机械  化学抛光 外延晶片  专用工具  抛光液 外延片 提起 吹扫  毛刷  冲洗  修饰  固定  

IPC专利分类号：H01L21/02(20060101)