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电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室 收藏

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研究主题:集成电路    总剂量效应    可靠性    芯片设计    X射线    

研究学科:电子信息类    自动化类    

被引量:160H指数:7WOS: 1 EI: 2 北大核心: 13 CSCD: 14

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65 条 记 录,以下是 1-10

集成电路内引线键合工艺材料失效机制及可靠性
1
《电子工艺技术》电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室 马鑫 何小琦  出版年:2001
引线键合是集成电路第一级组装的主流技术 ,也是 30多年来电子器件得以迅速发展的一项关键技术。对引线键合技术和可能发生的失效现象进行了综述 ,对提高键合点长期储存 /使用可靠性具有指导意义。
关键词:引线键合 失效机制  可靠性 集成电路
密封元器件的残余气氛分析
2
《电子产品可靠性与环境试验》信息产业部电子第五研究所;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室 吴文章  出版年:2004
简要介绍了密封元器件内部残余气氛分析的概念。以及生产厂家和使用方了解产品内部残余气氛分析的意义和作用。如何进行内部气氛分析,了解残余气氛可能造成的失效模式;如何进行产品的工艺调整,改进生产工艺以控制水汽含量,有助于提高密...
关键词:密封元器件  残余气氛分析  水汽含量
用扫描声学显微镜进行塑封器件的封装分层分析
3
《电子产品可靠性与环境试验》信息产业部电子第五研究所;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室 古关华  出版年:2004
在塑封IC器件中,封装分层往往会产生电和封装的可靠性问题。由过电应力(EOS)和再流焊中的水汽膨胀引起的分层会显示出不同的失效模式。扫描声学显微镜可以用来检测封装分层,能在失效分析的早期阶段快速地鉴别失效原因。
关键词:扫描声学显微镜  分层  过电应力  
集成电路失效分析新技术
4
《电子产品可靠性与环境试验》信息产业部电子第五研究所;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 费庆宇  出版年:2005
通过实例综述了目前国内集成电路失效分析技术的现状和发展方向,包括:无损失效分析技术、信号寻迹技术、二次效应技术、样品制备技术和背面失效定位技术,为进一步开展这方面的工作提供参考。
关键词:集成电路 失效分析  无损分析  
应力—应变场数值模拟在微组装焊点中的应用
5
《电子工艺技术》电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室;哈尔滨工业大学现代焊接技术国家重点实验室 马鑫 钱乙余 刘发  出版年:2001
就应力—应变场有限元数值模拟在微电子组装焊点可靠性研究中的应用进行了综述。
关键词:焊点可靠性 数值模拟 应力-应变场  微电子组装
SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构
6
《半导体技术》电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 何玉娟 刘洁 恩云飞 罗宏伟 师谦  出版年:2008
国家重点实验室基金项目(9140C030604070C0304);国家基础科研项目(A0626270)
SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优...
关键词:SOI 总剂量效应 FLEXFET  G^4-FET  
ESD应力下的NMOSFET模型
7
《微电子学》华南理工大学物理科学与技术学院;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室;信息产业部电子第五研究所;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 路香香 姚若河 罗宏伟  出版年:2007
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助项目:ESD/EOSTLP分析及模拟软件(5130804108)
随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFE...
关键词:静电保护 NMOSFET 半导体器件 器件模型  
裸芯片封装技术的发展与挑战
8
《电子与封装》广东工业大学;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 吴少芳 孔学东 黄云  出版年:2008
随着IC制造技术的发展,传统的封装形式已经不能够满足集成电路对于高性能、高集成度、高可靠性的要求。裸芯片由于其本身具有的特点而被广泛应用于HIC/MCM等新型的封装形式中。文章的目的在于分析使用裸芯片所带来的技术优势和存...
关键词:裸芯片 多芯片组件 已知良好芯片  
SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究
9
《半导体技术》华南理工大学微电子研究所;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室;中科院上海微系统与信息技术研究所 何玉娟 师谦 李斌 林丽 张正选  出版年:2006
国家重点基金项目(6140438);国家重点实验室基金项目(51433020101DZ1501)
研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了...
关键词:X射线 总剂量辐射效应 绝缘体上硅 注氧隔离
纠正一个流传了30年的错误——失效率定义
10
《电子产品可靠性与环境试验》工业和信息化部电子第五研究所;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 冯敬东 李沙金  出版年:2013
针对失效率的3个主要特征(平均失效率、瞬时失效率和残存量比值)进行了论述,破除多年来在中文书籍和公开文章中被多次引用的一个错误的定义,以期在可靠性基础理论的学习中能够正确地理解失效率参数的意义。
关键词:失效率 平均失效率  瞬时失效率  残存量比值  
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