文献类型：期刊文章

作　　者：路香香[1,2] 姚若河[1] 罗宏伟[3,4]

机构地区：[1]华南理工大学物理科学与技术学院 [2]电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州510610 [3]信息产业部电子第五研究所 [4]电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室

出　　处：《微电子学》

基　　金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助项目:ESD/EOSTLP分析及模拟软件(5130804108)

年　　份：2007

卷　　号：37

期　　号：6

起止页码：842-847

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。

关 键 词：静电保护 NMOSFET 半导体器件 器件模型  

分 类 号：TN406]