文献类型：期刊文章

作　　者：何玉娟[1] 刘洁[1] 恩云飞[1] 罗宏伟[1] 师谦[1]

机构地区：[1]电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州510610

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家重点实验室基金项目(9140C030604070C0304);国家基础科研项目(A0626270)

年　　份：2008

卷　　号：33

期　　号：3

起止页码：223-226

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向。并对FLEXFET和G4-FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述,分析了其优越性。

关 键 词：SOI 总剂量效应 FLEXFET  G^4-FET  

分 类 号：TN386]