文献类型：期刊文章

作　　者：何玉娟[1] 师谦[2] 李斌[1] 林丽[1] 张正选[3]

机构地区：[1]华南理工大学微电子研究所,广州510640 [2]电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广州510610 [3]中科院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家重点基金项目(6140438);国家重点实验室基金项目(51433020101DZ1501)

年　　份：2006

卷　　号：31

期　　号：5

起止页码：357-360

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。

关 键 词：X射线 总剂量辐射效应 绝缘体上硅 注氧隔离

分 类 号：TN306]