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北京工业大学机械工程与应用电子技术学院力学系 收藏

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研究主题:TSV    热应力    电子封装    有限元    参数优化    

研究学科:电子信息类    

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11 条 记 录,以下是 1-10

基于有限元的多圈QFN器件焊点可靠性分析
1
北京力学会第18届学术年会 2012武伟 高察 秦飞  出版年:2012
针对电子产品的不断小型化、高密度发展趋势,本文建立了新型VQFN(两圈排列)封装结构的1/4几何模型。利用Anand模型描述了Sn3.0Ag0.5Cu焊料的本构模型,在施加温度循环载荷的情况下,并比较了不同结构参数的VQ...
关键词:多圈QFN  有限元 可靠性
TO252-5L(B)的热性能分析
2
北京力学会第18届学术年会 2012高察 夏国峰 秦飞  出版年:2012
本文通过对TO252-5L(B)封装进行有限元分析,得出粘片胶热导率、粘片胶厚度、EMC热导率、框架热导率及PCB板热导率的变化与封装热阻之间的影响关系。为封装热阻的仿真分析及电子元器件散热优化提供参考思路。
关键词:电子封装 热阻 数值模拟
QFN封装疲劳寿命优化分析
3
北京力学会第18届学术年会 2012高察 武伟 秦飞  出版年:2012
四方扁平无引脚封装(QFN),为接近晶元尺寸及封装,具有极细间距与小尺寸的特点,将QFN连接到PCB板上,可大大提高封装的电热性能。本文采用数值模拟方法考虑温度循环范围振幅、温度循环范围平均温度、芯片厚度、PCB板厚度、...
关键词:QFN 单一因子  疲劳寿命  参数优化
基于正交试验的VQFN器件工艺参数优化
4
北京力学会第18届学术年会 2012武伟 夏国锋 高察 秦飞  出版年:2012
将正交试验设计方法同有限元数值模拟相结合,针对电子封装中常用的Die的厚度、Die的CTE以及EMC的CTE三种影响因素,研究了他们对回流焊过程产品性能的影响。以两圈VQFN器件为研究对象,以回流焊过程中发生的翘曲为优化...
关键词:正交试验 电子封装 有限元 工艺参数优化  
TSV转接板等效材料计算
5
北京力学会第18届学术年会 2012安彤 武伟 秦飞  出版年:2012
采用复合材料性能的细观力学分析方法,即以填充硅通孔的铜和硅基体作为基本'元件',分别看做各向同性的均匀材料,然后根据几何形状、分布形式、各自物理性能以及相互作用等条件,分析硅通孔(TSV)转接板整体的力学性能,最终得到等...
关键词:复合材料 细观力学 TSV转接板  等效材料参数  
TSV转接板上硅通孔的热应力:解析解
6
北京力学会第18届学术年会 2012安彤 武伟 秦飞  出版年:2012
硅通孔(TSV)技术作为实现3D封装中芯片堆叠和硅转接板互联的关键而被广泛关注。本文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了转接板上铜和硅的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响。
关键词:硅通孔(TSV)  热应力 解析解
TSV转接板上硅通孔的热应力:有限元解
7
北京力学会第18届学术年会 2012安彤 武伟 秦飞  出版年:2012
硅通孔(TSV)技术可以用于芯片和基板的转接板互联以及芯片堆叠,因此被认为是实现先进封装中提高系统性能的关键。本文建立了TSV转接板的二维有限元模型,研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,并讨论了孔距对转...
关键词:硅通孔(TSV)  热应力 有限元
格构模型模拟电子封装焊锡接点开裂
8
北京力学会第18届学术年会 2012安彤 秦飞  出版年:2012
采用格构模型对电子封装焊锡接点的开裂过程进行了数值模拟,结果表明采用格构模型不但使用简单,而且预测结果与实际开裂模式基本吻合。
关键词:格构模型 焊锡接点  开裂
SiO_2层对TSV整体应力的影响
9
北京力学会第18届学术年会 2012李玮 武伟 秦飞  出版年:2012
在TSV制作工艺中,绝缘层SiO2的存在可以防止后形成的导电材料(如铜)扩散入衬底,从而提高芯片的电学可靠性和稳定性。但其存在使得TSV整体建模较为复杂。本文对包含和不包含SiO2层两种模型进行了热应力计算,发现SiO2...
关键词:TSV SiO_2层  热应力
通孔直径对TSV应力影响
10
北京力学会第18届学术年会 2012李玮 武伟 秦飞  出版年:2012
在TSV制作和使用过程中,TSV需要承受不同的温度循环,由于转接板上铜和硅的热膨胀系数的不匹配性,其界面处容易发生开裂和分层,导致失效。为了延长使用寿命,需要优化出最佳的通孔尺寸使得其应力最小,从而降低失效的可能性。通过...
关键词:TSV 通孔直径  热应力
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