会议论文详细信息
TSV转接板上硅通孔的热应力:有限元解
文献类型：会议
作者单位：北京工业大学机械工程与应用电子技术学院力学系
基 金：中国硅通孔(TSV)技术攻关联合体1期课题;国家自然科学基金(10972012)
会议文献：北京力学会第18届学术年会论文集
会议名称：北京力学会第18届学术年会
会议日期：20120109
会议地点：中国北京
主办单位：北京力学会
出版日期：20120109
学会名称：北京力学会
语 种：中文
摘 要：硅通孔(TSV)技术可以用于芯片和基板的转接板互联以及芯片堆叠,因此被认为是实现先进封装中提高系统性能的关键。本文建立了TSV转接板的二维有限元模型,研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,并讨论了孔距对转接板应力的影响。
关 键 词：硅通孔(TSV) 热应力 有限元
分 类 号：O343.6[力学类]
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