会议论文详细信息
SiO_2层对TSV整体应力的影响
文献类型：会议
作者单位：北京工业大学机械工程与应用电子技术学院力学系
基 金：中国TSV技术攻关联合体第一期课题——TSV转接板封装热机械可靠性研究
会议文献：北京力学会第18届学术年会论文集
会议名称：北京力学会第18届学术年会
会议日期：20120109
会议地点：中国北京
主办单位：北京力学会
出版日期：20120109
学会名称：北京力学会
语 种：中文
摘 要：在TSV制作工艺中,绝缘层SiO2的存在可以防止后形成的导电材料(如铜)扩散入衬底,从而提高芯片的电学可靠性和稳定性。但其存在使得TSV整体建模较为复杂。本文对包含和不包含SiO2层两种模型进行了热应力计算,发现SiO2的存在对铜孔和硅板的应力影响很小,因此在整体建模中,为了简化模型,提高运算速率,可以忽略SiO2层。
关 键 词：TSV SiO_2层 热应力
分 类 号：TB301[材料类]
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