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南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心 收藏

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研究主题:SI衬底    GAN    硅衬底    氮化镓    ZNO薄膜    

研究学科:电子信息类    经济学类    电气类    机械类    

被引量:200H指数:9WOS: 14 EI: 40 北大核心: 52 CSCD: 44

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76 条 记 录,以下是 1-10

CdS掺Mg和Ni电子结构和光学性质的密度泛函理论研究 ( EI收录)
1
《光学学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 熊志华 饶建平 江风益  出版年:2007
国家863计划纳米专项(2003AA302160);电子信息产业发展基金资助课题
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对闪锌矿结构CdS和CdS∶M(M=Mg,Ni)几何结构、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究。几何结构研究对掺杂后体系晶格常量进行了优化计算,结果表明Mg和Ni...
关键词:光学材料 电子结构 光学性质 密度泛函理论
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响 ( EI收录)
2
《光学学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 邝海 刘军林 程海英 江风益  出版年:2008
国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯...
关键词:光学材料 SI衬底 加速老化  铜基板  硅基板
光增强湿法刻蚀提高Si衬底垂直结构GaN基LED的出光效率 ( EI收录)
3
《光学学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 周印华 汤英文 饶建平 江风益  出版年:2009
国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助课题
以0.1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。结果表明,在相同的刻蚀条件下,N面有电极...
关键词:光学材料 出光效率 光增强湿法刻蚀  垂直结构GaN基LED  SI衬底
Si衬底GaN基蓝光LED老化性能 ( EI收录)
4
《发光学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 肖友鹏 莫春兰 邱冲 江风益  出版年:2010
国家"863"计划(2003AA302160;2005AA311010)资助项目
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光LED在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小电压下的电流均有明显的增加;老化后器件的...
关键词:硅衬底 GAN 蓝光LED 老化  光衰
生长温度对ZnO薄膜性能的影响 ( EI收录)
5
《Journal of Semiconductors》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 苏宏波 戴江南 蒲勇 王立 李方 文卿 江风益  出版年:2006
国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302160);电子信息产业发展基金资助项目~~
采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究了不同生长温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.结果表明,随着生长温度的升高,Z...
关键词:ZNO MOCVD X射线双晶衍射 光致发光 应变  
Si衬底功率型GaN基绿光LED性能 ( EI收录)
6
《光学学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;晶能光电(江西)有限公司 苏丽伟 游达 程海英 江风益  出版年:2009
国家863计划纳米专项(2003AA302160);国家863计划光电子主题课题(2005AA311010)资助
对本实验室在Si(111)衬底上MOCVD法生长的芯片尺寸为400μm×600μm功率型绿光LED的光电性能进行研究。带有银反射镜的LED在20 mA的电流下正向工作电压为3.59 V,主波长518 nm,输出光功率为7...
关键词:光学材料 Ag反射镜  加速老化  SI衬底 绿光LED
退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响 ( EI收录)
7
《Journal of Semiconductors》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 温战华 王立 方文卿 蒲勇 罗小平 郑畅达 戴江南 江风益  出版年:2005
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA302160)~~
采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710~860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄膜的结构、发光性能的影响.Zn...
关键词:金属有机物化学气相沉积 氧化锌 X射线双晶衍射 光致发光谱
硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制
8
《高技术通讯》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 莫春兰 方文卿 刘和初 周毛兴 江风益  出版年:2005
国家高技术研究发展计划(863计划),信息产业部电子信息产业发展基金
利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111...
关键词:INGAN 多量子阱 LED 材料生长  SI(111)衬底 低压金属有机化学气相沉积  硅衬底 研制  反向漏电流  晶格失配  SI衬底 外延材料  工作电压  发光波长  外延片  缓冲层  IED  热失配  AIN  管芯  
衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响 ( EI收录)
9
《Journal of Semiconductors》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 熊传兵 方文卿 蒲勇 戴江南 王立 莫春兰 江风益  出版年:2004
国家高技术研究发展计划专项经费资助项目 (编号 :2 0 0 3 AA3 0 2 160 )~~
以 H2 O作氧源 ,Zn(C2 H5) 2 作 Zn源 ,N2 作载气 ,在 5 0 m m Al2 O3(0 0 0 1)衬底上采用常压 MOCVD技术生长出高质量的 Zn O单晶薄膜 .用 X射线双晶衍射、原子力显...
关键词:MOCVD ZNO X射线双晶衍射 原子力显微镜 光致发光  
硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究 ( EI收录 SCI收录)
10
《物理学报》南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 熊传兵 江风益 方文卿 王立 莫春兰  出版年:2008
国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2005AA311010,2003AA302160);信息产业部电子发展基金(批准号:(2004)125,(2004)479)资助的课题~~
利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的InGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上.研究结果表明,转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大.去除转移后LED薄膜中过...
关键词:GAN 发光二极管 硅衬底 应力
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